美国Technavio公司在其报告《全球宽禁带（WBG）功率半导体器件市场2019-2023》中预测2019至2023年WBG功率半导体器件市场复合年增长率（CAGR）将达到39%，并在2023年达到21.9亿美元。

一个关键驱动因素是对高功率密度设备需求的不断增长，包括不间断电源（UPS）和电源（PS）系统、光伏（PV）逆变器及电动和混合动力电动汽车（EV/HEV），其中越来越注重实现电力系统的更高效率。UPS和PS系统应用领域在2018年占了宽带隙功率半导体器件市场的最大份额（约为41％），预计将在整个2019-2023期间占主导地位。亚太地区（APAC）地区2018年的市场份额超过43％，其次是欧洲，中东和非洲（EMEA）和美洲。预计亚太地区在2019-2023年占市场主导地位。

由于宽禁带电力电子产品具有重量轻、易维护、更好的控制和故障检测智能等优势，因此航空航天和国防领域的需求尤其高。特别是，无线电探测和测距（雷达）、无人驾驶飞行器（UAV）、无人水下航行器（UUV）及声音导航和测距（声纳）的密集信号处理应用使用产生大量热量的处理能力。因此，需要耐用和高性能的电子设备，以便导弹系统（可以存储长达10年）等产品在部署用于关键任务应用时有效运行。因此，飞机和军事制造商一直在开发碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）电力电子系统，以承受高电压并提供高输出。

Technavio评论道：“市场上获得动力的最新趋势是信号处理应用的不断增长，包括水下通信、海军地雷探测、海上石油和天然气勘探及搜索和发现任务。”

随着高功率密度器件在不同终端用户行业的广泛应用，各种功率半导体器件制造商正在投资研发WBG功率半导体材料。如6月份Cree的子公司Wolfspeed宣布开发其第三代1200V SiC MOSFET，以提高EV/HEV的动力传动系统效率。其他有动作的企业还包括英飞凌、ROHM半导体、意法半导体和Transphorm等。 

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