2015年9月7日，由北京市科学技术委员会组织的“SiC双极结型三极管研制”课题验收会在我公司召开，会议邀请到中科院物理所研究员陈小龙先生、中科院微电子所研究员刘明女士、中科院力学所教授陈启生先生、北京大学微电子所教授王兆江先生、北京航空制造工程研究所研究员程小元先生、泰科天润总经理陈彤以及北京市科委等相关领导及专家参加此次会议。

本课题是由我公司联合北京京仪椿树整流器有限责任公司共同承担，通过本课题实施，成功研制1200V/10A SiC BJT器件，直流电流增益β=85.8，以此功率模块为核心的开关电源样机，样机功率达到53.030kW，开关频率50 .1503 kHz，样机满载功率因数0.98，满载效率95.37%，其电能转换效率和功率密度都远高于传统的以硅器件为基础的开关电源。验收专家组认为课题承担单位完成了既定研发任务，达到了考核指标要求，一致建议课题通过验收。

会议中，各位领导专家在肯定了泰科天润研究成果的基础上，对第三代半导体产业的机遇与挑战进行了深入的探讨，并对第三代半导体产业以及泰科天润的未来发展充满期待与信心。泰科天润总经理陈彤先生表示，专家组领导与专家的肯定给予了泰科天润莫大的鼓舞，泰科天润将一如既往的结合自身优势，为中国半导体功率器件制造产业的发展添砖加瓦。

会议期间，各位专家领导还参观了我公司SiC功率器件研发生产线。