2019-08-07

【张清纯教授报告】SiC和GaN功率器件的设计,商业化和应用

报告题目:《SiC和GaN功率器件的设计,商业化和应用》
作者:张清纯教授
来源:宽禁带半导体技术创新联盟


电力电子器件从应用于低功率手机充电器到电力系统兆瓦级的大功率转换器和线路。由于应用了宽禁带半导体器件,电力电子系统在缩减尺寸,提高效率和功率密度,可靠性等成为可能。在7月11日亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM2018)中美国能源部Power America研究所的张清纯教授作出报告:《宽禁带半导体功率器件和应用:现状和未来展望》。


报告中详细探讨了SiC的电力电子器件包括650伏到1700伏的二极管和MOSFET的研发和商品化以及如何降低器件的成本及其技术路线图等内容,并对新一代器件技术的提高途径和取得的重大进步方面也作了进一步的阐述。报告具体内容如下(多图):